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L'invention concerne la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs. On dirige un faisceau laser ou un faisceau d'électrons sur une jonction entre une région plus fortement dopée 22 et une région moins fortement dopée 23 d'un corps semi-conducteur. Le faisceau, dont l'aire de section droite est faible par rapport à l'aire de la jonction, produit une fusion locale du semi-conducteur, entraînant une diffusion des impuretés qui crée une déformation localisée 21 de la jonction. Application au réglage de la tension de claquage des diodes zener.
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