| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE CONTENANT DU SILICIUM POLYCRISTALLIN |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne la fabrication des circuits intégrés. Un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprend notamment l'opération qui consiste à former sur une première région isolée 103 d'un substrat de silicium 101 une couche de silicium polycristallin 109 qui contient une impureté du même type que la première région. On implante ensuite dans la première région et dans la couche de silicium polycristallin une impureté de type opposé, qui présente un coefficient de diffusion plus élevé, puis on chauffe le substrat. </P><P>Application à la fabrication des transistors bipolaires.</P>
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| 申请公布号 |
FR2445023(A1) |
申请公布日期 |
1980.07.18 |
| 申请号 |
FR19790031499 |
申请日期 |
1979.12.21 |
| 申请人 |
VLSI TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIA |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/033;H01L21/225;H01L21/331;H01L29/73;(IPC1-7):H01L21/82 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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