| 摘要 |
<P>L'invention concerne la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs. </P><P>Des transistors complémentaires en circuit intégré destinés aux applications de commutation à haute tension sont réalisés dans des caissons à isolation diélectrique 12, 14, en silicium à résistivité élevée. Ces caissons sont formés dans un substrat Il en silicium polycristallin, et les zones d'émetteur 19, 23, de base 16, 20 et de collecteur 17, 21 des transistors sont toutes adjacentes à la surface du circuit intégré. </P><P>Application aux transistors de commutation à haute tension.</P>
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