SENSE AMPLIFIER CIRCUIT OF MOS MEMORY,申请号JP19780165062-传众专利搜索

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发明名称	SENSE AMPLIFIER CIRCUIT OF MOS MEMORY
摘要
申请公布号	JPS5593587(A)	申请公布日期	1980.07.16
申请号	JP19780165062	申请日期	1978.12.29
申请人	FUJITSU LTD	发明人	AOYAMA KEIZOU;SHIMADA HIROSHI;NOGUCHI EIJI
分类号	G11C11/419;G11C8/00;G11C11/34	主分类号	G11C11/419
代理机构		代理人
主权项
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