| 发明名称 |
CRISTAL-GERME POUR LA SOLIDIFICATION EPITAXIALE D'UN ALLIAGE ET PROCEDE DE SOLIDIFICATION UTILISANT CE CRISTAL-GERME |
| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un cristal-germe et un procédé pour la solidification épitaxiale d'un alliage. </P><P>Le cristal-germe comprend au moins une partie ayant un point de fusion abaissé de 20-45 degrés C par rapport à celui de l'alliage à solidifier. On ajoute du bore et du silicium à ces cristaux-germes ayant la composition de l'alliage coulé pour obtenir une solidification orientée avec croissance à grains en colonnes ou en monocristal. Les cristaux-germes perfectionnés ont des compositions de surface qui favorisent également la dissolution de films contaminant sur la surface qui pourrait gêner l'épitaxie.</P>
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| 申请公布号 |
FR2444091(A1) |
申请公布日期 |
1980.07.11 |
| 申请号 |
FR19790030534 |
申请日期 |
1979.12.06 |
| 申请人 |
UNITED TECHNOLOGIES CORP |
发明人 |
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| 分类号 |
C30B19/00;B22D27/04;C30B11/00;C30B11/14;C30B21/00;C30B21/02;C30B29/52 |
主分类号 |
C30B19/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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