发明名称 HIGH FREQUENCY SEMICONDUCTOR UNIT
摘要 Une unite a semi-conducteur de haute frequence comprend un dispositif fonctionnel capable d'effectuer une fonction independante, ce dispositif fonctionnel comprenant des elements semi-conducteurs, un circuit a courant continu pour entrainer les elements et un circuit de haute frequence pour la connection en cascade des elements avec des circuits externes, un substrat metallique (1), un substrat isolant (3) ayant une pluralite de parties metallisees independantes (5, 6, 7, 7') pour enfermer le dispositif fonctionnel et une partie scellee pour obtenir un joint hermetique.
申请公布号 WO8001437(A1) 申请公布日期 1980.07.10
申请号 WO1979JP00323 申请日期 1979.12.22
申请人 FUJITSU LTD;YAMAMURA S;SHIMA T;HIDAKA N;KOSEMURA K 发明人 SHIMOJI Y;FUKUTA M;TAKEUCHI Y;YAMAMURA S;SHIMA T;HIDAKA N;KOSEMURA K
分类号 H01L23/047;H01L23/057;H01L23/66;H01L25/16;(IPC1-7):01L23/12 主分类号 H01L23/047
代理机构 代理人
主权项
地址