Device for diminishing the sensitivity of the threshold voltage of a MOSFET or a MISFET to variations of the voltage applied to the substrate.

摘要

Dans un transistor à effet de champ, du type MOSFET ou MISFET, comportant une source (2), un drain (3), une porte (5) et une région de canal (4), des impuretés, telles aue que du tellurium, présentant des niveaux d'énergie profonds et une faible vitesse de diffusion, sont implantées dans la région d'appauvrissement (11). Cette implantation permet de réduire la sensibilité du transistor MOSFET aux variations de la tension appliquée sur son substrat.