| 发明名称 |
(B2) ;METHOD OF ELIMINATION OF TEMPERATURE ZERO DRIFT IN SEMICONDUCTOR BRIDGEVODNIKOVOM MOSTE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
PL216702(A2) |
申请公布日期 |
1980.07.01 |
| 申请号 |
PL19790216702 |
申请日期 |
1979.06.27 |
| 申请人 |
POLITECHNIKA GDANSKA |
发明人 |
LEWANDOWSKI DARIUSZ;WILAMOWSKI BOGDAN |
| 分类号 |
G01R;G01R17/10;(IPC1-7):G01R/ |
主分类号 |
G01R |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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