摘要 |
Un commutateur a semi-conducteur de haute tension, qui permet un fonctionnement en courant alternatif ou en courant continu et effectue un blocage bi-directionnel, consiste en un premier corps semi-conducteur du type p (16, 16a) sur un substrat a tranches a semi-conducteur du type n (12). Une region anode du type p+ (18, 18a) et une region cathode du type n+ (24, 24a) existent dans des portions du corps semi-conducteur (16, 16a). Une seconde region du type p (22, 22a) d'une concentration en impuretes superieure a celle du corps semi-conducteur (16, 16a) encercle la region cathode (24, 24a). La region anode (18, 18a) et la seconde region du type p (22, 22a) sont separees l'une de l'autre par une portion du corps semi-conducteur (16, 16a). Le substrat a tranche a semi-conducteur (12), qui agit comme une porte est adapte pour permettre un contact a faible resistance. Des contacts a faible resistance separes sont faits sur la region anode (18, 18a) et sur la region cathode (24, 24a). |