| 摘要 |
<P>La mémoire étant formée de deux demi-mémoires chacune d'un même nombre de colonnes, chaque colonne coupée en son milieu par un amplificateur de rafraîchissement, un bus étant affecté à chaque demi-mémoire et connectable à toute demi-colonne adressée de cette demi-mémoire pour lecture et re-écriture en phase de rafraîchissement. </P><P>Le dispositif d'extraction et re-écriture incorpore une bascule ayant ses entrées reliées aux bus par un montage différentiel et ses sorties à des entrées d'un circuit de lecture et re-écriture, des moyens d'initialisation des bus à un potentiel bas, des moyens d'application d'un potentiel de référence à un bus lors de la connexion de l'autre bus à une demi-colonne et des moyens interdisant une montée transitoire parasite du bus sélectionné au-dessus d'un seuil de perturbation de l'amplificateur de rafraîchissement. </P><P>Application : mémoires à rafraîchissement de type MOS à canal N.</P>
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