发明名称 Process and apparatus for producing silicon carbide objects.
摘要 Die Herstellung von Siliciumcarbid-Formkörpern, insbesondere Rohren, ausgehend von einem porösen Vorkörper (1) aus Kohlenstoff oder Kohlenstoff- und Siliciumcarbid durch Imprägnierung und Umsetzung mit elementarem Silicium bei zumindest 1400°C wird erfindungsgemäß dadurch verbessert, daß Siliciumpulver (5) auf den etwa 1400 bis 1500°C heißen Vorkörper (1) aufgestreut wird, der dann einer Glühbehandlung zwischen 1800 und 2000°C zur Si-C-Umsetzung unterworfen wird. Der Vorkörper (1) wird während des Aufstreuens vorzugsweise gedreht. Rohrförmige Vorkörper werden insbesondere durch Einstreuen von Siliciumpulver (5) in das um etwa 30° gegen die Horizontale geneigte und gedrehte Rohr beschichtet beziehungsweise imprägniert. Imprägnierung und Umsetzung erfolgen unter Inertgas, insbesondere Argon. Als Vorrichtung ist ein Rohrofen (3,7) mit zwei gesondert steuerbaren Heizzonen für Imprägnierung (3) und Umsetzung (7) sowie Einrichtungen zum Drehen (13) und Axialvorschub der Vorkörper und einer Einrichtung (4,6) zum Einstreuen von Siliciumpulver geeignet, der vorzugsweise zur Umsetzungszone hin ansteigend gegen die Horizontale geneigt ist.
申请公布号 EP0011841(A1) 申请公布日期 1980.06.11
申请号 EP19790104689 申请日期 1979.11.26
申请人 KERNFORSCHUNGSANLAGE JULICH GESELLSCHAFT MIT BESCHRANKTER HAFTUNG 发明人 DIAS, FRANCISCO JOACHIM;GUPTA, ASHOK KUMAR;GYARMATI, ERNO, DR.;KAMPEL, MARIAN;LUHLEICH, HARTMUT, DR.;MUNZER, RUDOLF;NAOUMIDIS, ARISTIDIS, DR.
分类号 C04B35/573;C04B41/50;(IPC1-7):C04B35/56;C04B41/04 主分类号 C04B35/573
代理机构 代理人
主权项
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