| 发明名称 |
METHOD FOR PRODUCING PRESSED CONTACT POWER SEMICONDUCTORS |
| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication de semiconducteurs de puissance à contacts pressés. Les métallisations de contact les plus épaisses sont formées par application d'une couche métallique par sérigraphie sur une première couche métallique mince déposée par évaporation sous vide. Application à la réalisation de dispositifs de puissance à structure interdigitée.</p> |
| 申请公布号 |
CA1078528(A) |
申请公布日期 |
1980.05.27 |
| 申请号 |
CA19780295080 |
申请日期 |
1978.01.17 |
| 申请人 |
ALSTHOM-ATLANTIQUE |
发明人 |
BOURDON, BERNARD;SIFRE, GASTON |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L23/051;H01L23/48;H01L29/417;H01L29/423;(IPC1-7):05K5/02;05K7/02 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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