JUNCTION TYPE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR,申请号JP19780141914-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	JUNCTION TYPE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号	JPS5568677(A)	申请公布日期	1980.05.23
申请号	JP19780141914	申请日期	1978.11.17
申请人	NIPPON ELECTRIC CO	发明人	HAMANO KUNIYUKI
分类号	H01L29/80;H01L21/337;H01L29/808	主分类号	H01L29/80
代理机构		代理人
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