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发明名称 THYRISTOR WITH PARTICULAR DOPING GRADIENT IN A REGION ADJACENT THE MIDDLE P-N JUNCTION
摘要
申请公布号 US3524115(A) 申请公布日期 1970.08.11
申请号 USD3524115 申请日期 1968.08.01
申请人 SIEMENS AG. 发明人 ADOLF HERLET
分类号 H01L21/228;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/74;(IPC1-7):H01L9/00;H01L9/12 主分类号 H01L21/228
代理机构 代理人
主权项
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