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发明名称 PN JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 JPS5559780(A) 申请公布日期 1980.05.06
申请号 JP19780132590 申请日期 1978.10.30
申请人 TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO 发明人 TAKAOKI KIYOSHI;NISHINO OSAMU;MATSUMOTO KIYOTO
分类号 H01L29/80 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
主权项
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