| 主权项 |
1.一种联接之薄膜光电伏打电池的整合配列,包 括:电气上绝缘材料之基质; 以相隔关系整体连结于该基质大部份表面 之复数薄膜光电伏打电池,各该电池包括: 导电性底电极,连结在该基质之大部份表 面; 一类导电系数之第一半导体材料膜,覆盖 和重叠全面,只有邻接该底电极边缘的一部份 除外; 相反类导电系数之第二半导体材料膜,与 第一半导体材料膜形成p-n接合;和 顶电极,与该第二半导体材料接触,并容 许辐射能通入第二半导体材料,选定一电池之 顶电极和底电极之一,连接至相邻电池之选定 顶电极和底电极,将诸电池连接成串联或并联 配置; 本发明之改进是,该基质由绝缘性陶质构 成,而该底电极是由连结于该基质之大部份表 面的导电性陶质构成者,其中该基质之构作包 含冷轧低碳钢片,其厚度由大约0.005至大约 0.030寸,在该低碳钢片之至少一侧上具有连 续的陶质 陶质之厚度大约0.0015至大约 0,012寸。2.如请求专利部份第1项之整合配列,其中, 该 基质是由金属片材在其至少一侧涂布以薄层绝 缘性陶质所构成者。3.如请求专利部份第1项之整 合配列,其中,底 电极系由约15至约85%重量之金属,约5至约 50%重量之陶质材料,和约5至约60%重量之 金属氧化物所构成者。4.如请求专利部份第3项之 整合配列,其中,底 电极是由约70至约85%勉重量之金属,约10至约 20%重量之陶质材料,和约5至约10%重量之 金属氧化物所构成者。5.如请求专利部份第3项之 整合配列,其中,底 电极是由约15至约75%重量之金属所构成者。6.如请 求专利部份第3项之整合配列,其中,该 导电性陶质涂以至少一金属层,其中一层系与 第一半导体材料做欧姆接触者。7.如请求专利部 份第6项之整合配列,其中,该 底电极包括氧化铜和亚铜,该金属涂膜为锌, 该第一半导体材料为硫化镉,而该第二半导体 材料为硫化亚铜者。8.如请求专利部份第7项之整 合配列,其中,基 质是由金属片材在其至少一侧涂以薄层绝缘性 陶质所构成者。9.如请求专利部份第5项之整合配 列,其中,该 底电极包括氧化铜和氧化亚铜,其上沉积一层 铜,再沉积一层锌,该第一半导体材料为硫化 镉,而该第二半导体为硫化亚铜者。10.如请求专利 部份第9项之整合配列,其中,基 质系由金属片材在至少一侧涂以薄层绝缘性陶 质所构成者。11.相连接薄膜式光电伏打电池之制 法,包括: 取绝缘性材料基质; 在该基质之大部份表面涂以复数导电性底 电极,各该电池有一分开之底电极; 在该底电极上,除邻接其边缘之一部份外 ,涂以一类导电系数之第一半导体材料膜; 在该一类导电系数之各膜上,涂以相反类 导电系数之第二半导体材料膜,与之形成p一 n接合; 在各该第二半导体膜上附着透光性顶电极 ,令一电池之顶电极和底电极,与相邻电池之 选定顶电极和底电连接,提供诸电池之串联或 并联记置; 本发明之改进是,导电性陶质糊系涂在绝 缘陶质之基质上,将涂布过之基质经热处理, 使乾燥并自该糊除去遮蔽材料,使该导电性陶 质结合于该基质者。12.如请求专利部份第11项之 方法,其中,该基质 系由金属片材在至少一侧涂以薄层陶质所构成 ,而该导电性陶质糊包括约5至约85%重量之 微粉代金属粒,约1至约75%重量之金属氧化 物,约2至约60%重量之玻璃料,可与该基质 相容和结合,而其余为液体载剂者。13.如请求专利 部份第12项之方法,其中,该糊系 由约30至约85%重量之微粉化金属粒,约1至 约40%重量之金属氧化物,和约3至约30%重 量之玻璃料所构成者。14.如请求专利部份第12项 之方法,其中,该糊系 由约5至约40%重量之金属粒所构成者。15.如请求专 利部份第12项之方法,其中,电导性 陶质系涂以至少一金属层,其中一层在涂布第 一半导体金属膜之前,提供与第一半导体材料 呈欧姆接触者。16.如请求专利部份第13项之方法, 其中,该金属 粒为铜,该金属氧化物包括氧化亚铜,该金属 涂膜为锌,该第一半导体材料为硫化镉,而该 第二半导体材料为硫化亚铜者。17.如请求专利部 份第12项之方法,其中,该糊系 于约75C至约150C之温度乾燥约0.05至约 1小时,于空气中约100C至约580C加热, 将有机材料烧掉,于惰性氛围内约500C至约 11O0C燃烧约0.05至约1小时,将导电性陶 质熔合于绝缘性陶质基质者。18.如请求专利部份 第12项之方法,其中,糊包括 约l至约20%重量之第二金属氧化剂为助熔剂 者。19.如请求专利部份第l4项之方法,其中,导电性 陶质系涂以至少一金属层,其中一属在涂布第 一半导体材料之前,系与第一半导体材料有欧 姆接触者。20.如请求专利部份第19项之方法,其中, 该金属 粒为铜,该金属氧化物包括氧化亚铜,该金属 涂膜系一层铜和一层锌,锌与第一半导体材料 成欧姆接触,该第一半导体材料为硫化镉,而 该第二半导体材料为硫化亚铜者。21.如请求专利 部份第20项之方法,其中,该糊系 于约75C至约150C之温度乾燥约0.05至约 1小时,在空气中约100。C至约500。C加热烧 掉有机物料 于惰性氛围内约500C至约 11O0C燃烧约0.05至约1小时,将导电性陶 质熔合于绝缘性陶质基质者。 |
