| 摘要 |
Referenzquelle auf einem integrierten FET-Baustein, wobei zwei getrennte, aber von derselben Gleichstromversorgungsquelle (VDD/VSS) gespeiste Stufen (F1/R1, F2/R2) jeweils die Serienschaltung mindestens eines IG-FET (F1) und mindestens eines Arbeitswiderstandes (R1) enthalten, jeweils ein Abgriff zwischen einem der IG-FETs (F1) und einem der Arbeitswiderstände (R1) in jeder Stufe angebracht ist, zwischen den Abgriffen der Stufen eine Differenzspannung (RS) definierten Wertes auftritt, die unmittelbar selbst als Referenzspannung (RS), oder die mittelbar zur Einstellung des Wertes einer Referenzspannung (U3) bzw. eines Referenzstromes (I3), z.B. mittels eines Spannungsteilers, verwendet wird, und in zumindest einer der beiden Stufen (F1/R1, F2/R2) zumindest einer der IG-FETs (F1) ein zumindest teilweise zwischen dem steuerbaren Steuergate und dem Kanalbereich angebrachtes, allseitig von einem Isolator umgebenes und daher in elektrischer Hinsicht schwebendes Speichergate enthält.
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