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Il comporte: des moyens d'injection (D, GE, GST) dans un milieu semiconducteur de paquets de charges représentant un signal électrique (S); des électrodes (10) disposées sur le semiconducteur, alimentées par des potentiels périodiques (&phis;1), qui assurent le transfert des charges dans le semiconducteur vers une diode de sortie (Ds) avec un retard défini. Cette diode (Ds) reçoit par ailleurs des échantillons du signal (E) à mémoriser et elle est reliée à un inverseur (I) qui constitue également un élément de régénération du signal et qui transmet le signal de sortie régénérée (S) aux moyens d'injection. L'invention est applicable notamment à la réalisation d'un registre à décalage ou d'un diviseur de fréquence.
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