发明名称 PROCEDE DE COMMANDE DU RECUIT DE SEMI-CONDUCTEURS
摘要 a. Procédé pour améliorer la commande du recuit de couches superficielles d'un corps semi-conducteur 10 par fusion de la couche superficielle à 'aide d'un faisceau à énergie rayonnante 21. b. On contrôle la réflectivité de la surface de la couche pour détecter les changements de cette surface entre ses états fondus et solide, et la quantité d'énergie rayonnante reçue par la surface est contrôlée en réponse à ces changements. c. Application au controle de la diffusion d'impuretés dans des semi-conducteurs.
申请公布号 FR2434483(A1) 申请公布日期 1980.03.21
申请号 FR19790021071 申请日期 1979.08.21
申请人 WESTERN ELECTRIC CY INC 发明人
分类号 H01L21/263;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/324;(IPC1-7):01L21/26;05D25/00 主分类号 H01L21/263
代理机构 代理人
主权项
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