发明名称 DIODE SCHOTTKY PLANAIRE INSEREE DANS UNE LIGNE A GUIDES D'ONDES, POUR UNE FREQUENCE LIMITE ELEVEE
摘要 L'invention concerne une diode Schottky planaire insérée dans une ligne à guide d'ondes, pour une fréquence limite élevée. Cette diode Schottky insérée dans une ligne à guide d'ondes 3, 4 comporte des contacts Schottky formés par des parties saillantes 6 en forme de doigts répartis parallelement les uns aux autres sur toute la largeur de la ligne, et par des contacts ohmiques entourant les contacts Schottky et possédant un bord de contact de longueur plus importante 7. Application notamment aux lignes à guide d'ondes à impédance caractéristique définie.
申请公布号 FR2434488(A1) 申请公布日期 1980.03.21
申请号 FR19790021152 申请日期 1979.08.22
申请人 SIEMENS AG 发明人
分类号 H01L23/482;H01L23/66;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872;(IPC1-7):01L29/86;01L29/48;01P3/08 主分类号 H01L23/482
代理机构 代理人
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