发明名称 NONCONTACTING MEASUREMENT OF HALL EFFECT IN A WAFER
摘要 La grandeur et le signe de l'angle de Hall du materiau d'une tranche semi-conductrice (13) sont mesures par une technique de couplage capacitatif et inductif qui ne necessite pas le contact physique avec la tranche (13), eliminant ainsi toute deterioration physique eventuelle de la tranche. Un signal haute frequence (rf) est appliquee a une paire concentrique d'electrodes planes circulaires (11, 12) adjacentes a la tranche (13), couplant ainsi de maniere capacitative un courant rf radial dans la tranche. Un champ magnetique applique (aimant 14) perpendiculairement a la tranche produit une composante du courant rf a cause de l'effet Hall. Ce courant circulaire rf produit un champ magnetique rf axial qui se couple avec une bobine de reception (15). Le signal de reception est amplifie (48) et detecte (49) pour produire un signal de sortie en relation avec le signe et la grandeur de l'angle de Hall du materiau de la tranche.
申请公布号 WO8000496(A1) 申请公布日期 1980.03.20
申请号 WO1979US00607 申请日期 1979.08.14
申请人 WESTERN ELECTRIC CO INC 发明人 MILLER G;ROBINSON D
分类号 G01R31/265;G01R33/12;(IPC1-7):01R33/00 主分类号 G01R31/265
代理机构 代理人
主权项
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