| 摘要 |
<P>L'invention concerne un circuit intégré monolithique comportant des transistors à effet de champ et un procédé pour sa fabrication. </P><P>Selon l'invention, une structure homogène constituée par un substrat semi-isolant 2, une première couche semi-conductrice active 4 de faible dopage et au moins une seconde couche semi-conductrice 6 de dopage intense, est pourvue d'au moins une unité de circuit formée par un transistor de commutation 10 du type normalement bloqué et d'un transistor de charge 2 du type normalement conducteur, la longueur L du canal conducteur au-dessous de la grille 12 du transistor 10 étant égale tout au plus à 1 mu . </P><P>Application notamment aux circuits intégrés monolithiques permettant des fréquences de bits élevées.</P>
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