发明名称 DETECTEURS DE PRESSION A MEMBRANE SEMICONDUCTRICE
摘要 <P>Ce détecteur comporte une membrane semiconductrice 10a dans une zone superficielle de laquelle est formée une résistance intégrée 12. Un bloc de silicium 10 dans lequel est constituée la membrane est soudé à l'intérieur d'un assemblage 30 de manière à tourner la résistance intégrée vers une chambre à vide 27. La pression de fluide à mesurer peut être appliquée à la face arrière de la membrane par un trou 14a de l'assemblage. Pour réduire au minimum l'effet des contraintes thermiques sur la membrane, l'assemblage est constitué de mullite, dont le coefficient de dilatation linéaire est proche de celui du silicium. L'assemblage est maintenue au-dessus d'une plaque de base 14 par des cadres de montage 32 et il est enfermé dans un espace fermé par un couvercle 26 fixé à la plaque de support par l'intermédiaire d'un cadre 20. </P><P>Applications notamment pour mesurer la dépression créée dans le système d'admission d'un moteur de voiture.</P>
申请公布号 FR2433176(A1) 申请公布日期 1980.03.07
申请号 FR19790020393 申请日期 1979.08.09
申请人 NISSAN MOTOR CY 发明人
分类号 G01L9/04;G01L9/00;H01L23/057;H01L23/498;H01L29/84 主分类号 G01L9/04
代理机构 代理人
主权项
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