Method for producing a passivating layer on a silicon semiconductor body.

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer passivierenden Schutzschicht (5) aus amorphem Silicium. Das amorphe Silicium wird durch Zersetzung einer gasförmigen Silicium-Wasserstoffverbindung durch Glimmentladung aufgebracht. Die Parameter der Glimmentladung werden so eingestellt, daß der spezifische Widerstand zwischen 10<8> und 5 . 10¹¹ Ohm.cm liegt. Die Passivierungsschicht ist für alle aus Silicium bestehenden Halbleiterbauelemente anwendbar.