PROCEDE DE PROGRAMMATION EN FIN DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES A SEMI-CONDUCTEURS

摘要

L'invention concerne un procédé de programmation en fin de fabrication de circuits intégrés à semi-conducteurs. Une couche photorésistante est déposé sur la couche de passivation qui protège la plaquette presque terminée. Des ouvertures étroites sont ménagées dans cette couche photorésistante au-dessus des composants qui doivent être programmés par implantation d'ions et des ouvertures larges sont ménagées au-dessus des contacts. L'implantation est faite perpendiculairement avec des ions de haute énergie, et l'élimination de la couche de passivation sur les contacts est faite obliquement avec des ions de faible énergie qui n'atteignent pas le fond des ouvertures étroites. Application à la programmation des mémoires permanentes MOS.