| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR ET FILM SEMI-CONDUCTEUR EN FAISANT APPLICATION |
| 摘要 |
Elément semi-conducteur. On dépose sur un substrat un film semi-conducteur amorphe de type solide à l'aide d'une décomposition par décharge luminescente d'un composé dans une atmosphère contenant au moins un élément d'altération. Plusieurs eléments d'altération sont incorporés au film semi-conducteur amorphe altéré présentant une densité réduite d'états localisés dans sa bande interdite. Application aux piles solaires.
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| 申请公布号 |
FR2432765(A1) |
申请公布日期 |
1980.02.29 |
| 申请号 |
FR19790006560 |
申请日期 |
1979.03.15 |
| 申请人 |
Energy Conversion Devices Inc. |
发明人 |
Stanford Robert Ovshinsky;Arun Madan |
| 分类号 |
C23C16/50;G03G5/082;H01L21/02;H01L21/205;H01L29/04;H01L29/26;H01L31/00;H01L31/20;H01L45/00;(IPC1-7):01L21/18;01L29/12;01L45/00 |
主分类号 |
C23C16/50 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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