INSULATING GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR,申请号JP19780097069-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	INSULATING GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPS5524454(A)	申请公布日期	1980.02.21
申请号	JP19780097069	申请日期	1978.08.08
申请人	NIPPON ELECTRIC CO	发明人	OKABAYASHI HIDEKAZU
分类号	H01L29/78;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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