摘要 |
Die Erfindung betrifft einen Thyristor mit einer Reihe von übereinanderliegenden Halbleiterschichten (1, 2, 3, 4) unterschiedlicher Leitfähigkeitstypen, bei dem die an den Enden der Reihe liegenden Halbleiterschichten (1, 4) mit endseitigen Elektroden versehen sind und bei dem ein von der letzten Schicht (4) nicht überdeckter Teil der Oberfläche der vorletzten Schicht mit einer über einen Steueranschluß (G) zugeführten Steuergröße beaufschlagt wird. Bei Thyristoren dieser Art wird eine leistungssparende Ansteuerung angestrebt. Das wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß der von der letzten Schicht (4) nicht überdeckte Teil (7) der Oberfläche der vorletzten Schicht (3) mit einer dünnen, elektrisch isolierenden Schicht (8a) abgedeckt ist, auf der ein mit dem Steueranschluß (G) verbundenes Gate (9) angeordnet ist, und daß neben dem Rand der letzten Schicht (4) eine denselben Leitfähigkeitstyp wie diese aufweisende Zone (2a) angeordnet ist, die die vorletzte Schicht (3) vollständig durchdringt. Das Anwendungsgebiet der Erfindung umfaßt Schaltelemente der Leistungselektronik.
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