发明名称 |
HALBLEITERVORRICHTUNG MIT MEHREREN IN EINEM HALBLEITERKRISTALL VEREINIGTEN UND EINE INTEGRIERTE SCHALTUNG BILDENDEN HALBLEITERELEMENTEN MIT PN-UEBERGAENGEN |
摘要 |
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申请公布号 |
DE2834719(A1) |
申请公布日期 |
1980.02.14 |
申请号 |
DE19782834719 |
申请日期 |
1978.08.08 |
申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
JOHANNSEN,ROLF,DIPL.-ING. |
分类号 |
H01L27/06;H01L21/331;H01L21/761;H01L27/02;H01L27/082;H01L29/73;(IPC1-7):H01L27/04;H01L23/56 |
主分类号 |
H01L27/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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