| 发明名称 |
VAPOR PHASE GROWING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR WHOSE MAIN CONTENT IS GALLIUM ARSENIDE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5519841(A) |
申请公布日期 |
1980.02.12 |
| 申请号 |
JP19780092511 |
申请日期 |
1978.07.31 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
发明人 |
NAKANISHI TAKATOSHI |
| 分类号 |
C30B25/02;C30B29/42;H01L21/205;H01L43/06 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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