发明名称 High-resolution X-ray lithographic system and a method for fabricating microminiature devices by irradiating with such a system.
摘要 Les systemes lithographiques a rayons X fabriques jusqu'a present comprennent une chambre a faible attenuation (40) de propagation des rayons X provenant d'une source (32) et diriges vers un cache (44) qui est place a proximite etroite d'un disque avec revetement - reserve (49). Le cache et le disque sont inclus dans la chambre qui est, de facon caracteristique, soit remplie d'helium, soit sous vide a une pression inferieure a 10-2 Torr environ. Selon cette invention, un systeme lithographique a rayons X est construit pour permettre d'etablir, dans la region disque-cache, une atmosphere controlee qui est separee et differente de celle maintenue dans la chambre a faible attenuation. De cette maniere, on obtient un systeme lithographique ameliore ayant un debit de traitement avantageux et d'autres avantages.
申请公布号 EP0007898(A1) 申请公布日期 1980.02.06
申请号 EP19790900003 申请日期 1979.06.29
申请人 WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED 发明人 DEAN, ROBERT, EARL;MAYDAN, DAN;MORAN, JOSEPH, MICHAEL;TAYLOR, GARY, NEWTON
分类号 H01L21/30;G03F7/20;G21K5/02;(IPC1-7):21K5/04;01L21/70;03F7/02 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人
主权项
地址