发明名称 |
High-resolution X-ray lithographic system and a method for fabricating microminiature devices by irradiating with such a system. |
摘要 |
Les systemes lithographiques a rayons X fabriques jusqu'a present comprennent une chambre a faible attenuation (40) de propagation des rayons X provenant d'une source (32) et diriges vers un cache (44) qui est place a proximite etroite d'un disque avec revetement - reserve (49). Le cache et le disque sont inclus dans la chambre qui est, de facon caracteristique, soit remplie d'helium, soit sous vide a une pression inferieure a 10-2 Torr environ. Selon cette invention, un systeme lithographique a rayons X est construit pour permettre d'etablir, dans la region disque-cache, une atmosphere controlee qui est separee et differente de celle maintenue dans la chambre a faible attenuation. De cette maniere, on obtient un systeme lithographique ameliore ayant un debit de traitement avantageux et d'autres avantages. |
申请公布号 |
EP0007898(A1) |
申请公布日期 |
1980.02.06 |
申请号 |
EP19790900003 |
申请日期 |
1979.06.29 |
申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED |
发明人 |
DEAN, ROBERT, EARL;MAYDAN, DAN;MORAN, JOSEPH, MICHAEL;TAYLOR, GARY, NEWTON |
分类号 |
H01L21/30;G03F7/20;G21K5/02;(IPC1-7):21K5/04;01L21/70;03F7/02 |
主分类号 |
H01L21/30 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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