| 发明名称 |
INSULATING GATE ELECTROSTATIC EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5516480(A) |
申请公布日期 |
1980.02.05 |
| 申请号 |
JP19780089819 |
申请日期 |
1978.07.21 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
发明人 |
MIURA KENJI;ASAOKA TAKASHI;WATANABE TAKASHI;MORIMOTO TAKASHI |
| 分类号 |
H01L21/8236;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8236 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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