| 摘要 |
<P>Dispositif laser semi-conducteur comprenant un assemblage semi-conducteur qui comporte un substrat de croissance cristalline à la surface duquel se trouve une seconde couche semiconductrice, une première couche semi-conductrice à région active formée sur ledit substrat et une troisième couche semiconductrice, l'indice de réfraction de chacune des seconde et troisième couches semi-conductrices étant inférieur à celui de la première couche et leurs intervalles de bande plus larges que celui de cette première couche semi-conductrice, une premiere électrode formée sur une surface dudit assemblage semi-conducteur du côté de la troisième couche semi-conductrice, une seconde électrode formée sur une surface de l'assemblage semi-conducteur du côté du substrat, et au moins un système pour réaliser une réaction optique destinée à produire des radiations optiques.</P>
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