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<P>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à couplage de charges. </P><P>Il consiste essentiellement à former un premier groupe d'électrodes espacées les unes des autres au-dessus d'une couche dopée à la surface d'un substrat Les ions sont ensuite implantés dans les régions de la couche dopée, entre les électrodes pour augmenter la concentration du dopage dans ces régions. Un second groupe d'électrodes est formé au-dessus de ces parties de plus grande concentration de la couche dopée. Les premières électrodes forment des grilles de transfert et les secondes forment des grilles d'emmagasinage. </P><P>L'invention s'applique notamment à la fabrication d'un dispositif à couplage de charges à canal encastré et à deux phases.</P>
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