发明名称 UN METODO DE PREPARACION DE UNA PELICULA SEMICONDUCTORA.
摘要 <p>Un método de preparación de una película semiconductora amorfa o similar, con propiedades fotoconductoras y/u otras interesantes, consiste en depositar sobre un sustrato una película semiconductora amorfa sólida, por descomposición mediante descarga luminiscente de n compuesto en una atmósfera que independientemente contiene por lo menos otro elemento alterante, donde se incorpora una multiplicidad de diferentes elementos alterantes a dicha película semiconductora amorfa durante la deposición de la misma, dando un material semiconductor amorfo alterado con densidad menor de estados localizados en el intervalo de energía del mismo, de manera que se obtienen longitudes de difusión considerablemente aumentadas para aplicación en células solares y pueden agregarse efectivamente modificadores o dopantes para producir películas semiconductoras amorfas de tipo p o n de manera que las películas funcionan como los semiconductores cristalinos similares.</p>
申请公布号 ES478454(A1) 申请公布日期 1980.01.16
申请号 ES19790478454 申请日期 1979.03.08
申请人 Energy Conversion Devices Inc. 发明人 Stanford Robert Ovshinsky;Arun Madan
分类号 C23C16/50;G03G5/082;H01L21/02;H01L21/205;H01L29/04;H01L29/26;H01L31/00;H01L31/20;H01L45/00;(IPC1-7):01L31/18 主分类号 C23C16/50
代理机构 代理人
主权项
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