PROCEDE DE REALISATION DE DIODES ELECTROLUMINESCENTES ET/OU PHOTODETECTRICES

摘要

Ce procédé de réalisation de diodes électroluminescentes et/ou photodétectrices comprend les étapes suivantes : a. on part d'un substrat en matériau Mgx Zn 1 - x Te; b. on applique à ce matériau un moyen apte à le rendre conducteur; c. on crée à la surface du substrat une couche d'épaisseur xj composée de telle façon qu'elle présente une résistivité élevée; d. on implante des ions avec une énergie suffisante pour créer une zone de piégeage d'épaisseur x1 en surface du semi-conducteur, et, au-dessous, une zone isolante d'épaisseur x 2 avec x1 < xj ; e. on réalise sur la surface du substrat et sur sa deuxième face des contacts conducteurs. L'invention concerne également un semi-conducteur de grande qualité cristalline caractérisé en ce qu'il répond à la formule Mgx Zn1 - x Te, où x est inférieur à 0,15. Application à la réalisation d'écrans de visualisation et/ou de lecture de données et à celle de systèmes d'écriture et/ou de lecture de documents.