氮化物半导体发光器件

摘要

一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。

主权项

1.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于包括：一个量子阱结构的有源层，该有源层由含有铟和镓的氮化物半导体构成，并具有第一和第二主表面；第一型覆盖层，由含有铝和镓的P型氮化物半导体构成，并与有源层的所述第二主表面接触；第二P型覆盖层，由含有铝和镓的P型氮化物半导体构成，其具有比所述第一P型覆盖层的带隙更大的带隙并设置在所述第一P型覆盖层上；和一个与有源层的所述第一主表面接触的n型半导体层。