PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication de transistors à effet de champ. Le procédé est caractérisé en ce qu'on forme une couche active de matière semi-conductrice sur une surface d'un premier substrat en matière semi-conductrice, en ce qu'on dépose un second substrat de matière isolante sur la surface de la structure comprenant le premier substrat et la couche active de manière que cette couche active soit située entre les deux substrats, en ce qu'on enlève le premier substrat et en ce qu'on forme des électrodes de source, de drain et de grille sur la surface de la couche active placée en regard du second substrat. Application au domaine des composants électroniques.