| 摘要 |
<P>Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comportant au moins un transistor de puissance et une série de transistors pour signaux faibles, le tout étant disposé sur un même support semi-conducteur. </P><P>On forme une couche 3 de type N- sur toute la surface d'un support semi-conducteur 20 de type N+, par croissance épitaxiale. Puis, on forme simultanément une zone-base 21 du type P+ pour le transistor de puissance et une zone 22 du type P+ pour les transistors pour signaux faibles, dans la couche 3 de type N-, par diffusion, pour isoler l'un de l'autre les transistors pour signaux faibles. On forme ensuite une zone-émettrice 23 du type N+ pour le transistor de puissance et des zones-collectrices 24 du type N+ pour les transistors pour signaux faibles, simultanément et respectivement dans la zone 21 P+ et dans la zone 22 P+, par diffusion, respectivement. Application aux dispositifs à semi-conducteurs.</P>
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