Process for producing epitaxial layers on selectively doped silicon substrates with high impurity concentration.

摘要

Bei dem Verfahren zum Aufwachsen von Epitaxieschichten auf selektiv hochdotierte Siliciumsubstrate, wird das Substrat zunächst in einer Wasserstoffatmosphäre im Bereich zwischen ungefähr 1120 und ungefähr 1180 °C eine festgelegte Zeit lang erhitzt, anschließend auf eine Temperatur im Bereich zwischen ungefähr 1000 und ungefähr 1100 °C abgekühlt und schließlich einem Gasstrom ausgesetzt, der Wasserstoff als Trägergas und Siliciumtetrachlorid als Quellmaterial für das Silicium enthält. Dabei wächst die Epitaxieschicht auf. Mit dem Verfahren werden bevorzugt Epitaxieschichten erzeugt, welche < 2 µm dick sind und in sehr hoch integrierten Schaltungen verwendet werden.