| 发明名称 |
Method of fabricating a field effect device with polycrystaline silicon channel |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0460833(B1) |
申请公布日期 |
2000.08.30 |
| 申请号 |
EP19910304676 |
申请日期 |
1991.05.23 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS, INC. |
发明人 |
CHAN, TSIU C.;HAN, YU-PIN;GURITZ, ELMER H. |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/02;H01L21/8244;H01L27/06;H01L27/092;H01L27/11;(IPC1-7):H01L27/11 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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