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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Einprägen einer Spannung in ein Bauelement eines integrierten Schaltkreises der mit einer Passivierungsschicht versehen ist, mit einem Elektronenstrahl. Erfindungsgemäß wird die Passivierungsschicht mit einem Metallfilm versehen der an eine Versorgungsspannung (U) angeschlossen wird und auf den der Elektronenstrahl (S1, S2) gerichtet wird, dessen Beschleunigungsspannung so gewählt wird, daß er innerhalb der Passivierungsschicht (20 bzw. 14, 20) eine Diffusionwolke (26 bzw. 28) aufbaut und daß diese Diffusionwolke (26 bzw. 28) durch ihre strahlinduzierte Leitfähigkeit das Bauelement (10, 14, 16, 20 bzw. 10, 12, 14, 20) mit dem Metallfilm (22) elektrisch leitend verbindet. Das Verfahren dient zur zerstörungsfreien und berührungslosen Prüfung von integrierten Schaltkreisen.
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