| 发明名称 |
INSULATIONNGATE FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS54152982(A) |
申请公布日期 |
1979.12.01 |
| 申请号 |
JP19780061067 |
申请日期 |
1978.05.24 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
TAKANASHI AKIRA;IWABUCHI MASARU |
| 分类号 |
H01L21/822;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/04;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/822 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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