| 发明名称 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SOWIE STRUKTUREN FUER VLSI-SCHALTUNGEN MIT HOHER DICHTE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE2921010(A1) |
申请公布日期 |
1979.11.29 |
| 申请号 |
DE19792921010 |
申请日期 |
1979.05.23 |
| 申请人 |
ROCKWELL INTERNATIONAL CORP. |
发明人 |
C. GODEJAHN JUN.,GORDON |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/033;H01L21/285;H01L21/321;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8247;H01L27/112;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/82;H01L27/02;H01L21/70;H01L21/90;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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