发明名称 记录数据于可写碟片上之方法与装置
摘要 一种在一碟片上记录数据的方法,一位元组之数据系调变成p-频道位元,当最小标记长度大于0.5微米且小于1.0微米,当最小标记长度对应至q-频道时p/q大于4.5并小于8,格式化的效率系大于0.6而小于1.0时记录数据。因此,数据可以一较高的密度记录于一既存之碟片上。
申请公布号 TWI269283 申请公布日期 2006.12.21
申请号 TW091120253 申请日期 2002.09.05
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李垧根;朴仁植;尹斗燮;高祯完;沈载晟
分类号 G11B7/013(2006.01);G11B7/0045(20060) 主分类号 G11B7/013(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种在一碟片上记录数据的方法,该方法包括: (a)将1位元组之数据调变成p频道位元;以及 (b)当一最小标记长度大于0.5微米小于1.0微米,在该 最小标记长度对应q频道位元时,p/q大于4.5且小于8, 以及当格式化效率大于0.6且小于1.0时记录数据。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,在步骤(b)中, 一记录光束之波长为780奈米,一点直径为1.56微米, 以及一数値孔径为0.5。 3.一种在一碟片上记录数据的方法,该方法包括: (a)利用具有不同记录密度之一第一写入模式及一 第二写入模式其中之一记录使用者数据, 其中该第一写入模式系一既存碟片之写入模式,1 位元组之数据被调变成p频道位元,而该使用者数 据系在一最小标记长度大于0.5微米小于1.0微米,在 该最小标记长度对应q频道位元时,p/q大于4.5且小 于8,以及当格式化效率大于0.6且小于1.0时以该第 二写入模式记录。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤(a)包 括: (a3)利用一双重调变运算将一位元组之数据调变成 约15.3频道位元。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,在步骤(a3)之 前,步骤(a)更包括: (a1)产生一错误校正码区块;以及 (a2)实施交错。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中在步骤(a1 )中,产生32KB之错误校正码区块。 7.如申请专利范围第3项所述之方法,其中在步骤(a) 中,该最小标记长度为0.627微米,一记录光束之波长 为780奈米,一点直径为1.56微米,以及一数値孔径为0 .5。 8.一种在一碟片上记录数据的方法,该碟片包括由 位址资料指定之复数个物理区段,该位址资料系以 一主过程记录,该方法包括: (a)记录62帧于该些物理区段,每一帧包括一同步码 及数据, 其中1位元组之数据被调变成p频道位元,一最小标 记长度大于0.5微米小于1.0微米,在该最小标记长度 对应q频道位元时,p/q大于4.5且小于8,以及当格式化 效率大于0.6且小于1.0。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,步骤(a)包括: (a1)分配错误侦测码至主数据及首资料中; (a2)实施错误校正码编码; (a3)实施交错; (a4)藉在77位元组之数据中加入一2位元组之同步码 产生一帧;以及 (a5)在该些物理区段中记录该些62帧。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该步骤(a 3)包括: (a31)将N1N2位元组之两个错误校正码分割成"d"位元 组之区块,其分别代表沿着一行之最大公约数; (a32)分别沿着一列及一行将dN1位元组之物件区块 分割成d部分,以取得dd分割部分;以及 (a33)交替选择两错误校正码区块以在一预定分割 部分中交错数据,以得到具有2N2线编码字之一记 录区块。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该错误 校正码区块具有线编码字(N1,kl)及行编码字(N2,k2), 以及(a34)调变具有2N2线编字之该记录区块以产生 一记录区块,其具有2(N2-k2)之一主数据区域及2k2 之外配对区域。 12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中步骤(a5) 包括利用一双重调变运算将一位元组之数据调变 成15.3频道位元。 13.一种在一碟片上记录数据之装置,该装置包括: 一读取单元,其在该碟片上记录一标记; 一调变器,将一位元组之数据调变成p频道位元;以 及 一控制器,在一最小标记长度大于0.5微米小于1.0微 米,在该最小标记长度对应q频道位元时,p/q大于4.5 且小于8,以及当格式化效率大于0.6且小于1.0时,控 制该读取单元而记录该调变器调变之数据。 14.如申请专利范围第13项所述之装置,其中该控制 器控制该读写单元以在一记录光束之波长为780奈 米,一点直径为1.56微米,以及一数値孔径为0.5时记 录数据。 15.一种在一碟片上记录数据之装置,该装置包括: 一读取单元,其在该碟片上记录一标记; 一调变器,将一位元组之数据调变成p频道位元;以 及 一控制器,控制该读取单元,以在该碟片之一第一 写入模式及一第二写入模式其中之一记录由该调 变器调变之数据, 其中该控制器在一最小标记长度大于0.5微米小于1 .0微米,在该最小标记长度对应q频道位元时,p/q大 于4.5且小于8,以及当格式化效率大于0.6且小于1.0 时控制该读取单元。 16.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该调变 器以一双重调变运算将一位元组之数据调变成15.3 频道位元。 17.如申请专利范围第16项所述之装置,其中该控制 器控制该读写单元,以使最小标记长度为0.627微米, 一记录光束之波长为780奈米,一点直径为1.56微米, 以及一数値孔径为0.5。 图式简单说明: 第1图系一参考图,用以解释DDCD及CD间之不同; 第2A及2B图系碟片之示意图; 第3图系本发明之一较佳实施例中,一记录装置之 方块图; 第4图系根据第3图之设计本发明之记录装置的方 块图; 第5图系根据第4表之调变运算的一逻辑区段的结 构图; 第6及7图系绘示根据本发明之一ECC区块不同的结 构; 第8及9图系参考图,用以解释根据使用于本发明另 一实施例中之一错误校正系统之一交错运算; 第10图绘示因实施交错运算而产生之一区块结构; 第11图系一参考图,用以解释指定号码于一ECC区块 感应出之数据中; 第12图系一示意图,绘示出基于第10图重组之一记 录区块; 第13图系一参考图,用以解释根据本发明,藉在ECC区 块A及B中实施交错而产一记录区块之过程; 第14图系根据第5表之调变运算之一物理区段的结 构; 第15图绘示根据本发明之另一实施例中,在一碟片 之ATIP区域(物理区段区域)中记录之数据结构; 第16图绘示出取决于调变运算之格式化效率及记 录容量间的关系; 第17至20图绘示出当MML为0.50微米,0.5257微米,0.627微 米,及1.0微米时格式化效率及记录容量间的关系; 第21图绘示出当可写碟片(CD-R)之MML分别为0.52微米, 0.63微米,0.69微米,0.76微米,以及0.833微米时之一眼 状图案及其直方图。 第22图绘示出当可重覆写入碟片(CD-RW)之MML分别为0 .52微米,0.63微米,0.69微米,0.76微米,以及0.833微米时 之一眼状图案及其直方图。 第23图系一流程图,用以解释本发明之一记录方法 的实施例。 第24图系一流程图,用以解释本发明之一记录方法 的另一实施例。 第25图系一流程图,用以解释本发明之一记录方法 之又一实施例。
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