| 主权项 |
1.一种用于将膜特性化之方法,此方法包含: 提供至少一个代表膜之至少一种成分浓度之量测 光谱峰形,其中此膜系藉一组处理条件界定之特定 方法形成于基材上; 提供欲特性化之另外之膜之已获得光谱,其中此另 外之膜系藉一组处理条件界定之特定方法形成于 基材上; 比较至少一个量测光谱峰形与已获得之光谱;及 基于此比较测定欲特性化之膜之至少一个厚度测 量。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中此方法进一 步包含对已获得之光谱计算至少一个光谱背景,及 其中该比较至少一个量测光谱峰形与已获得之光 谱包含将至少一个量测光谱峰形与光谱背景与已 获得之光谱比较。 3.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供至少一 个量测光谱峰形,其包含: 提供代表膜中至少一种成分之浓度之量测光谱峰 形;及 提供至少另一个代表至少一部份基材中至少一种 成分浓度之另一个量测光谱峰形。 4.根据申请专利范围第3项之方法,其中已获得之光 谱包含代表另外之膜中至少一种成分及至少一部 份基材中至少一种成分之浓度之重叠峰区域,及其 中将至少一个量测光谱峰形与光谱背景比较已获 得之光谱包含使用由已获得之光谱计算之光谱背 景,将已获得之光谱代入代表膜中至少一种成分之 浓度之量测光谱峰形、及至少一个代表至少一部 份基材中至少一种成分浓度之另一种量测光谱峰 形,以自重叠峰区域取得分别之已获得之光谱峰区 域,其中分别之已获得之光谱峰区域之一代表另外 之膜中至少一种成分之浓度,及另一个分别之已获 得之光谱峰区域代表至少一部份基材中至少一种 成分之浓度。 5.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供至少一 个量测光谱峰形包含提供代表膜中矽浓度之量测 光谱峰形、及提供至少一个代表至少一部份基材 中矽浓度之另一个量测光谱峰形,其中已获得之光 谱包含代表另外之膜中及至少一部份基材中之矽 浓度之重叠峰区域,及其中将至少一个量测光谱峰 形比较已获得之光谱包含使用由已获得之光谱计 算之光谱背景,将已获得之光谱代入代表膜中矽浓 度之量测光谱峰形、及至少一个代表至少一部份 基材中矽浓度之另一个量测光谱峰形,以自重叠峰 区域取得分别之已获得之光谱区域,其中分别之已 获得之光谱峰区域之一代表另外之膜中之矽浓度, 及另一个分别之已获得之光谱峰区域代表至少一 部份基材中之矽浓度。 6.根据申请专利范围第5项之方法,其中此方法包含 在各将已获得之光谱代入量测光谱峰形及至少另 一个量测光谱峰形之循环时,计算光谱背景。 7.根据申请专利范围第5项之方法,其中膜及另外之 膜包含至少矽、氧与氮,及其中此方法包含以下之 步骤: 至少基于厚度测量及代表另外之膜中氮之另外之 已获得光谱,测定另外之膜中之氮浓度; 测定横越另外之膜之氮浓度之均匀性程度;及 基于氮浓度侦测伴随特定方法之方法偏离。 8.根据申请专利范围第1-7项中任一项之方法,其中 提供至少一个量测光谱峰形包含: 提供膜之高解析度光谱; 自高解析度光谱消除光谱背景; 分离至少一个代表膜之至少一种成分浓度之窄量 测光谱峰形、及至少另一个代表至少一部份基材 中至少一种成分之浓度之窄量测光谱峰形;及 对此至少一个窄量测光谱峰形及此至少另一个窄 量测光谱峰形施加加宽功能,以符合已获得之光谱 之解析度。 9.根据申请专利范围第1-7项中任一项之方法,其中 此方法进一步包含至少基于厚度测量测定另外之 膜之成分浓度,或在横越另外之膜之多个位置重复 另外之膜之成分浓度之测定,以用于测定横越另外 之膜之成分浓度之均匀性程度。 10.根据申请专利范围第1-7项中任一项之方法,其中 此方法进一步包含横越另外之膜之多个位置重复 厚度测量,以用于测定横越另外之膜之厚度之均匀 性程度。 11.根据申请专利范围第1-7项中任一项之方法,其中 此方法进一步包含基于厚度测量侦测伴随特定方 法之方法偏离。 12.根据申请专利范围第1-7项中任一项之方法,其中 提供至少一个代表膜之至少一种成分浓度之量测 光谱峰形、及提供欲特性化之另外之膜之已获得 光谱包含使用特定组之参数对膜及另外之膜实行 一或多种表面光谱测量,其中提供表面光谱测量包 含: 以x-射线照射另外之膜造成光电子散逸; 侦测散逸之光电子,其中侦测散逸之光电子包含: 提供一种分析仪,其包含接收光电子之输入透镜, 此输入透镜具有穿越延伸之中央轴;及 安置输入透镜使得输入透镜之中央轴为相对另外 之膜表面之分析仪角度,其中分析仪角度为约45度 至约90度之范围;及 产生代表侦测之光电子之信号,其中表面光谱测量 系基于产生之信号。 13.根据申请专利范围第1-7项中任一项之方法,其中 以x-射线照射另外之膜包含以得自小于2000电子伏 特之低能量x-射线来源之x-射线照射另外之膜。 14.根据申请专利范围第1-7项中任一项之方法,其中 膜及另外之膜各包含介电膜,及其中膜及另外之膜 各包含具小于约10奈米之厚度之薄膜。 15.根据申请专利范围第1-7项中任一项之方法,其中 膜及另外之膜各包含具小于约4奈米之厚度之薄膜 。 16.根据申请专利范围第1-7项中任一项之方法,其中 膜及另外之膜各包含形成于含矽之基材上,包含矽 、氧与氮之膜,及其中至少一个量测光谱峰形代表 矽之浓度。 17.一种用于将膜特性化之系统,其中此系统包含: x-射线来源,其可操作以x-射线照射一或多个膜而 造成光电子散逸; 分析仪,其可操作以侦测散逸之光电子,其中分析 仪系操作以产生代表已侦测光电子之信号而用于 提供一或多个膜之已获得光谱;及 电脑装置,其可操作以: 辨识至少一个代表膜中至少一种成分浓度之量测 光谱峰形,其中此膜系藉一组处理条件界定之特定 方法形成于基材上; 辨识欲特性化之另外之膜,其中此另外之膜系藉一 组处理条件界定之特定方法形成于基材上; 比较至少一个量测光谱峰形与已获得之光谱;及 基于此比较而测定至少一个厚度测量。 18.根据申请专利范围第17项之系统,其中电脑装置 进一步可操作以计算已获得之光谱之至少一个光 谱背景,及其中电脑装置可操作以将至少一个量测 光谱峰形与光谱背景比较已获得之光谱。 19.根据申请专利范围第17项之系统,其中电脑装置 进一步可操作以辨识代表膜中至少一种成分浓度 之量测光谱峰形、及至少另一个代表至少一部份 基材中至少一种成分浓度之量测光谱峰形。 20.根据申请专利范围第19项之系统,其中已获得之 光谱包含代表另外之膜中至少一种成分及至少一 部份基材中至少一种成分之浓度之重叠峰区域,及 其中电脑装置进一步可操作以藉由使用由已获得 之光谱计算之光谱背景,将已获得之光谱代入代表 膜中至少一种成分之浓度之量测光谱峰形、及至 少一个代表至少一部份基材中至少一种成分浓度 之另一个量测光谱峰形,而比较至少一个量测光谱 峰形与已获得之光谱,以自重叠峰区域取得分别之 已获得之光谱峰区域,其中分别之已获得之光谱峰 区域之一代表另外之膜中至少一种成分之浓度,及 另一个分别之已获得之光谱峰区域代表至少一部 份基材中至少一种成分之浓度。 21.根据申请专利范围第19项之系统,其中电脑装置 进一步可如下操作以提供代表膜中至少一种成分 之浓度之量测光谱峰形、及至少另一个代表至少 一部份基材中至少一种成分之浓度之量测光谱峰 形: 辨识藉一组处理条件界定之特定方法形成于基材 上之膜之高解析度光谱; 自高解析度光谱消除光谱背景; 分离至少一个代表膜之至少一种成分浓度之窄量 测光谱峰形、及至少另一个代表至少一部份基材 中至少一种成分之浓度之窄量测光谱峰形;及 对此至少一个窄量测光谱峰形及此至少另一个窄 量测光谱峰形施加加宽功能,以符合已获得之光谱 之解析度。 22.根据申请专利范围第17-21项中任一项之系统,其 中电脑装置进一步可操作以基于厚度测量测定另 外之膜之成分浓度,或进一步可操作以基于至少厚 度测量侦测伴随特定方法之方法偏离。 23.根据申请专利范围第17-21项中任一项之系统,其 中分析仪包含接收光电子之输入透镜,此输入透镜 具有穿越延伸之中央轴,其中输入透镜系安置使得 输入透镜之中央轴为相对一或多个膜之表面之分 析仪角度,其中分析仪角度为约45度至约90度之范 围。 24.根据申请专利范围第17-21项中任一项之系统,其 中x-射线来源为小于2000电子伏特之低能量x-射线 来源。 25.根据申请专利范围第17-21项中任一项之系统,其 中另外之膜至少包含矽与氧且形成于含矽基材上, 其中已获得之光谱包含代表另外之膜中及至少一 部份基材中矽浓度之重叠峰区域,及其中电脑装置 可操作以: 辨识代表膜中矽浓度之量测光谱峰形,其中此膜包 含至少矽与氧且形成于含矽基材上; 辨识代表至少一部份基材中矽浓度之至少另一个 量测光谱峰形;及 计算已获得之光谱之至少一个光谱背景。 26.根据申请专利范围第17-21项中任一项之系统,其 中膜及另外之膜包含至少矽、氧与氮,及其中电脑 装置进一步可操作以至少基于厚度测量及代表另 外之膜中之氮之另外之已获得光谱测定另外之膜 中之氮浓度,或可操作以辨识横越另外之膜之多个 位置之另外之膜中氮浓度之测定,以用于测定横越 另外之膜之成分浓度之均匀性程度。 27.根据申请专利范围第17-21项中任一项之系统,其 中电脑装置进一步可操作以基于氮浓度侦测伴随 特定方法之方法偏离。 28.一种程式储存媒体,其为在电脑控制下可藉媒体 读取装置读取,使程式可明确地具体执行而实行薄 膜特性化方法,其中此程式可操作以: 辨识至少一个代表膜中至少一种成分浓度之量测 光谱峰形,其中此膜系藉一组处理条件界定之特定 方法形成于基材上; 辨识欲特性化之另外之膜,其中此另外之膜系藉一 组处理条件界定之特定方法形成于基材上; 比较至少一个量测光谱峰形与已获得之光谱;及 基于此比较而测定另外之膜之至少一个厚度测量 。 29.根据申请专利范围第28项之程式储存媒体,其中 程式进一步可操作以计算已获得之光谱之至少一 个光谱背景,及其中电脑装置可操作以将至少一个 量测光谱峰形与光谱背景比较已获得之光谱。 30.根据申请专利范围第28项之程式储存媒体,其中 程式进一步可操作以辨识代表膜中至少一种成分 浓度之量测光谱峰形、及代表至少一部份基材中 至少一种成分浓度之至少另一个量测光谱峰形,其 中已获得之光谱包含代表另外之膜中至少一种成 分及至少一部份基材中至少一种成分之浓度之重 叠峰区域,及其中程式可操作以藉由使用由已获得 之光谱计算之光谱背景,将已获得之光谱代入代表 膜中至少一种成分之浓度之量测光谱峰形、及至 少一个代表至少一部份基材中至少一种成分浓度 之另一个量测光谱峰形,而比较至少一个量测光谱 峰形与已获得之光谱,以自重叠峰区域取得分别之 已获得之光谱峰区域,其中分别之已获得之光谱峰 区域之一代表另外之膜中至少一种成分之浓度,及 另一个分别之已获得之光谱峰区域代表至少一部 份基材中至少一种成分之浓度。 31.根据申请专利范围第30项之程式储存媒体,其中 程式进一步可如下操作以提供代表膜中至少一种 成分之浓度之量测光谱峰形、及至少另一个代表 至少一部份基材中至少一种成分之浓度之量测光 谱峰形: 辨识膜之高解析度光谱; 自高解析度光谱消除光谱背景; 分离至少一个代表膜之至少一种成分浓度之窄量 测光谱峰形、及至少另一个代表至少一部份基材 中至少一种成分之浓度之窄量测光谱峰形;及 对此至少一个窄量测光谱峰形及此至少另一个窄 量测光谱峰形施加加宽功能,以符合已获得之光谱 之解析度。 32.根据申请专利范围第28-31项中任一项之程式储 存媒体,其中程式进一步可操作以至少基于厚度测 量测定另外之膜之成分浓度,或可操作以辨识横越 另外之膜之多个位置之另外之膜中成分浓度之测 定,以用于测定横越另外之膜之成分浓度之均匀性 程度。 33.根据申请专利范围第28-31项中任一项之程式储 存媒体,其中程式进一步可操作以辨识在另外之膜 之多个位置之厚度测量之测定,以用于测定横越另 外之膜之厚度之均匀性程度,或基于至少一个厚度 测量侦测伴随特定方法之方法偏离。 34.根据申请专利范围第28-31项中任一项之程式储 存媒体,其中至少一个量测光谱峰形系代表膜中之 矽浓度。 35.一种用于将膜特性化之方法,此方法包含: 提供欲特性化之膜之已获得之光谱,其中此膜系形 成于基材上,及其中提供已获得之光谱包含提供代 表膜中至少一种成分浓度之光谱峰形、及代表至 少一部份其上形成膜之基材中至少一种成分浓度 之至少一个另外之光谱峰形; 仅由已获得之光谱取得成分浓度资讯,其中成分浓 度资讯包含代表膜中至少一种成分之浓度、及代 表至少一部份其上形成膜之基材中至少一种成分 之浓度之资讯;及 基于成分浓度资讯测定膜之至少一个厚度测量。 36.根据申请专利范围第35项之方法,其中此方法进 一步包含: 计算已获得之光谱之光谱背景;及 由已获得之光谱消除光谱背景。 37.根据申请专利范围第35项之方法,其中提供代表 膜中至少一种成分之浓度之光谱峰形及代表至少 一部份其上形成膜之基材中至少一种成分之另外 之光谱峰形包含提供代表其之重叠峰区域。 38.根据申请专利范围第35项之方法,其中由已获得 之光谱取得成分浓度资讯包含取得代表膜中至少 一种成分之浓度对代表至少一部份其上形成膜之 基材中至少一种成分之浓度之比例。 39.根据申请专利范围第35项之方法,其中由已获得 之光谱取得成分浓度资讯包含: 将已获得之光谱累积地积分;及 至少使用积分光谱之几何性质取得成分浓度资讯 。 40.根据申请专利范围第39项之方法,其中至少使用 积分光谱之几何性质取得成分浓度资讯包含: 在积分光谱之多个位置提供多个正切;及 测定成分浓度资讯如至少正切之函数。 41.根据申请专利范围第35项之方法,其中已获得之 光谱包含代表膜中及至少一部份基材中之矽浓度 之重叠峰区域,其中由已获得之光谱取得成分浓度 资讯包含取得代表膜中之矽浓度对代表至少一部 份其上形成膜之基材中之矽浓度之比例,及其中由 已获得之光谱取得成分浓度资讯包括: 将已获得之光谱累积地积分;及 至少使用积分光谱之几何性质取得代表膜中至少 一种成分之浓度对代表至少一部份其上形成膜之 基材中至少一种成分之浓度之比例。 42.根据申请专利范围第41项之方法,其中至少使用 积分光谱之几何性质取得此比例包含: 在积分光谱之多个位置提供多个正切;及 测定此比例如至少正切之函数。 43.根据申请专利范围第42项之方法,其中在积分光 谱之多个位置提供多个正切包含: 在积分光谱位置提供第一正切,其对应膜中峰矽强 度之已获得光谱之位置; 在积分光谱位置提供第二正切,其对应膜下基材部 份中峰矽强度之已获得光谱之位置;及 在积分光谱位置提供第三正切,其对应膜中峰矽强 度与膜下基材部份中之峰矽强度间已获得光谱之 最小强度之谷。 44.根据申请专利范围第43项之方法,其中此方法进 一步包含指出积分光谱之最小値及最大値,及其中 测定成分浓度资讯如至少正切之函数包含: 基于积分光谱上第一及第三正切之交叉处与第二 及第三正切之交叉处间之位置,测定代表膜中矽强 度之値;及 使用代表膜中矽强度之値,测定代表膜下基材部份 中矽强度之値,如基于积分光谱之最小値与最大値 所测定之总矽强度之函数。 45.根据申请专利范围第35-44项中任一项之方法,其 中此方法进一步包含至少基于厚度测量测定膜之 成分浓度,或在横越膜之多个位置重复膜之成分浓 度之测定,以用于测定横越膜之成分浓度之均匀性 程度。 46.根据申请专利范围第35-44项中任一项之方法,其 中此方法进一步包含横越膜之多个位置重复厚度 测量,以用于测定横越膜之厚度之均匀性程度。 47.根据申请专利范围第35-44项中任一项之方法,其 中此膜系藉一组处理条件界定之特定方法形成于 基材上,及其中此方法包含基于至少一个厚度测量 侦测伴随特定方法之方法偏离。 48.根据申请专利范围第35-44项中任一项之方法,其 中提供欲特性化之膜之已获得光谱包含使用特定 组之参数对膜实行一或多种表面光谱测量,其中提 供表面光谱测量包含: 以x-射线照射膜造成光电子散逸; 侦测散逸之光电子,其中侦测散逸之光电子包含: 提供一种分析仪,其包含接收光电子之输入透镜, 此输入透镜具有穿越延伸之中央轴;及 安置输入透镜使得输入透镜之中央轴为相对膜表 面之分析仪角度,其中分析仪角度为约45度至约90 度之范围;及 产生代表侦测之光电子之信号,其中表面光谱测量 系基于产生之信号。 49.根据申请专利范围第48项之方法,其中以x-射线 照射膜包含以得自小于2000电子伏特之低能量x-射 线来源之x-射线照射膜。 50.根据申请专利范围第35-44项中任一项之方法,其 中此膜包含介电膜,及其中此膜包含具小于约10奈 米之厚度之薄膜。 51.根据申请专利范围第35-44项中任一项之方法,其 中此膜包含具小于约4奈米之厚度之薄膜。 52.根据申请专利范围第35-44项中任一项之方法,其 中此膜包含形成于含矽基材上之含矽与氧之膜。 53.根据申请专利范围第35-44项中任一项之方法,其 中测定至少一个厚度测量包含测定含矽、氧与氮 之膜之厚度测量。 54.根据申请专利范围第53项之方法,其中此方法进 一步包含以下至少之一: 至少基于厚度测量及代表膜中氮之另外之已获得 光谱,测定膜中之氮浓度; 测定横越膜之含矽、氧与氮之膜之厚度之均匀性 程度,或横越膜之氮浓度之均匀性程度;及 其中此膜系藉一组处理条件界定之特定方法形成 于基材上,基于氮浓度侦测伴随特定方法之方法偏 离。 55.一种用于将膜特性化之系统,其中此系统包含: x-射线来源,其可操作以x-射线照射一或多个膜而 造成光电子散逸; 分析仪,其可操作以侦测散逸之光电子,其中分析 仪系操作以产生代表已侦测光电子之信号而用于 提供膜之已获得光谱;及 电脑装置,其可操作以: 辨识代表膜中至少一种成分浓度之已获得光谱之 光谱峰形,其中此膜系形成于基材上; 辨识代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一 种成分浓度之已获得光谱之至少一个另外之光谱 峰形; 仅由已获得之光谱取得成分浓度资讯,其中成分浓 度资讯包含代表膜中至少一种成分之浓度、及代 表至少一部份其上形成膜之基材中至少一种成分 之浓度之资讯;及 基于成分浓度资讯测定膜之至少一个厚度测量。 56.根据申请专利范围第55项之系统,其中电脑装置 进一步可操作以: 由已获得之光谱计算光谱背景;及 由已获得之光谱消除光谱背景。 57.根据申请专利范围第55项之系统,其中电脑装置 进一步可操作以辨识重叠峰区域之光谱峰形及另 外之光谱峰形。 58.根据申请专利范围第55项之系统,其中电脑装置 可操作以藉由取得代表膜中至少一种成分之浓度 对代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一种 成分之浓度之比例,而由已获得之光谱取得成分浓 度资讯。 59.根据申请专利范围第55项之系统,其中电脑装置 可操作以如下由已获得之光谱取得成分浓度资讯: 将已获得之光谱累积地积分;及 至少使用积分光谱之几何性质取得成分浓度资讯 。 60.根据申请专利范围第59项之系统,其中电脑装置 可操作以如下至少使用积分光谱之几何性质取得 成分浓度资讯: 在积分光谱之多个位置提供多个正切;及 测定成分浓度资讯如一或多个正切间至少一或多 个交叉处之函数。 61.根据申请专利范围第60项之系统,其中电脑装置 可操作以如下在积分光谱之多个位置提供多个正 切: 在积分光谱位置提供第一正切,其对应膜中峰成分 强度之已获得光谱之位置; 在积分光谱位置提供第二正切,其对应膜下基材部 份中峰成分强度之已获得光谱之位置;及 在积分光谱位置提供第三正切,其对应膜中峰成分 强度与膜下基材部份中之峰成分强度间已获得光 谱之最小强度之谷。 62.根据申请专利范围第61项之系统,其中电脑装置 进一步可操作以指出积分光谱之最小値及最大値, 及其中电脑装置进一步可操作以如下测定成分浓 度资讯如一或多个正切间至少一或多个交叉处之 函数: 基于积分光谱上第一及第三正切之交叉处与第二 及第三正切之交叉处间之位置,测定代表膜中成分 强度之値;及 使用代表膜中成分强度之値,测定代表膜下基材部 份中成分强度之値,如基于积分光谱之最小値与最 大値所测定之总成分强度之函数。 63.根据申请专利范围第55-62项中任一项之系统,其 中电脑装置进一步可操作以至少基于厚度测量测 定膜之成分浓度,或可操作以在横越膜之多个位置 辨识膜之成分浓度之测定,以用于测定横越膜之成 分浓度之均匀性程度。 64.根据申请专利范围第55-62项中任一项之系统,其 中电脑装置进一步可操作以在膜之多个位置辨识 厚度测量之测定,以用于测定横越膜之厚度之均匀 性程度,或其中膜系藉一组处理条件界定之特定方 法形成于基材上,电脑装置可操作以基于至少厚度 测量侦测伴随特定方法之方法偏离。 65.根据申请专利范围第55-62项中任一项之系统,其 中分析仪包含接收光电子之输入透镜,此输入透镜 具有穿越延伸之中央轴,其中输入透镜系安置使得 输入透镜之中央轴为相对膜之表面之分析仪角度, 其中分析仪角度为约45度至约90度之范围。 66.根据申请专利范围第55-62项中任一项之系统,其 中x-射线来源为小于2000电子伏特之低能量x-射线 来源。 67.根据申请专利范围第55-62项中任一项之系统,其 中已获得之光谱包含代表膜中及至少一部份基材 中之矽之浓度之重叠峰区域,及其中电脑装置可操 作以藉由至少取得代表膜中矽之浓度与至少一部 份其上形成膜之基材中矽之浓度之资讯,而由已获 得之光谱取得成分浓度资讯。 68.一种程式储存媒体,其为在电脑控制下可藉媒体 读取装置读取,使程式可明确地具体执行而实行薄 膜特性化方法,其中此程式可操作以: 辨识代表膜中至少一种成分之浓度之光谱峰形,其 中此膜系形成于含矽基材上; 辨识代表至少一部份其上形成膜之基材中至少一 种成分之浓度之至少一个另外之光谱峰形; 仅由已获得之光谱取得成分浓度资讯,其中成分浓 度资讯代表膜中至少一种成分之浓度、及至少一 部份其上形成膜之基材中至少一种成分之浓度;及 基于成分浓度资讯测定膜之至少一个厚度测量。 69.根据申请专利范围第68项之程式储存媒体,其中 程式进一步可操作以向已获得之光谱计算光谱背 景,及由已获得之光谱消除光谱背景。 70.根据申请专利范围第68项之程式储存媒体,其中 程式进一步可操作以至少如下由已获得之光谱取 得成分浓度资讯: 将已获得之光谱累积地积分;及 至少使用积分光谱之几何性质取得成分浓度资讯 。 71.根据申请专利范围第70项之程式储存媒体,其中 程式进一步可操作以至少如下至少使用积分光谱 之几何性质取得成分浓度资讯包含: 在积分光谱之多个位置提供多个正切;及 测定成分浓度资讯如一或多个正切间至少一或多 个交叉处之函数。 72.根据申请专利范围第71项之程式储存媒体,其中 程式进一步可操作以如下在积分光谱之多个位置 提供多个正切: 在积分光谱位置提供第一正切,其对应膜中峰成分 强度之已获得光谱之位置; 在积分光谱位置提供第二正切,其对应膜下基材部 份中峰成分强度之已获得光谱之位置;及 在积分光谱位置提供第三正切,其对应膜中峰成分 强度与膜下基材部份中之峰成分强度间已获得光 谱之最小强度之谷。 73.根据申请专利范围第72项之程式储存媒体,其中 程式进一步可操作以指出积分光谱之最小値及最 大値,及其中程式进一步可操作以如下测定成分浓 度资讯如一或多个正切间至少一或多个交叉处之 函数: 基于积分光谱上第一及第三正切之交叉处与第二 及第三正切之交叉处间之位置,测定代表膜中成分 强度之値;及 使用代表膜中成分强度之値,测定代表膜下基材部 份中成分强度之値,如基于积分光谱之最小値与最 大値所测定之总成分强度之函数。 74.根据申请专利范围第68-73项中任一项之程式储 存媒体,其中程式进一步可操作以基于膜之至少一 个厚度测量侦测伴随特定方法之方法偏离。 图式简单说明: 图1为依照本发明之分析系统之描述性图形。 图2为可藉图1所示之描述性分析系统进行之膜特 性化方法之例示图形。 图3为可藉图1所示之描述性分析系统进行之替代 性膜特性化方法之例示图形。 图4为描述图2与3所示方法之膜特性化方法之一个 具体实施例之例示图形。 图5为用于描述本发明,显示以x-射线照射之薄膜之 表面敏感度之图形。 图6为一部份图1所示系统之一个描述性具体实施 例之略示图形。 图7A与7B为用于叙述依照本发明之分析仪角度具体 实施例之描述性图形。 图8A为依照本发明用于测定膜厚度之薄介电膜特 性化方法之一个具体实施例之描述性流程图。 图8B-8D为依照本发明,大致如图8A所示,用于描述一 个例示具体实施例以提供基础光谱之描述性光谱 图形。 图9为大致如图8A所示之光谱比较法之一个例示具 体实施例。 图10为用于描述图8A与9所述之方法之图形。 图11为依照本发明用于测定膜厚度之另一个替代 性薄介电膜特性化方法之描述性流程图。 图12为大致如图11所示之一部份方法之一个例示具 体实施例。 图13为用于描述图11与12所述之方法之图形。 图14为使用膜厚度(如图8A与11所描述性地显示而测 定)之浓度测定法之一个具体实施例之描述性流程 图。 图15为用于叙述大致如图14所示之方法之描述性图 形。 |
