| 主权项 |
1.一种玻璃组合物,其包含以莫耳%计1-10% MO、5-30% MgO、0.3-5% CuO、0-2.5% P2O5、0-2.5% ZrO2、24-45% ZnO、2-10 % Al2O3、35-50% SiO2及0.1-3% A2O,其中M系选自Ba、Sr、Ca 及其混合物,其中A系选自由硷金属元素及其混合 物组成之群。 2.一种包含细分固体的分散系之厚膜组合物,其包 含: (a)如请求项1之玻璃组合物;及 (b)有机介质。 3.如请求项2之厚膜组合物,其进一步包含陶瓷填充 剂。 4.如请求项3之厚膜组合物,其中该陶瓷填充剂包含 该总组合物之多达17重量%。 5.如请求项2、3或4任一项中之厚膜组合物,其中该 玻璃组合物包含该总组合物之43-85重量%。 6.如请求项2、3或4任一项中之厚膜组合物,其中该 有机介质包含该总组合物之15-40重量%。 7.如请求项2之厚膜组合物,其中该陶瓷填充剂系选 自Al2O3、ZrO2、SiO2、TiO2、BaTiO3、堇青石、富铝红 柱石(mullite)及其混合物。 8.一种形成多层电路之方法,其包含以下步骤: (a)提供氮化铝基质; (b)将如请求项2、3、4及7任一项中之该组合物沈积 于该基质上; (c)焙烧该组合物及基质以形成氮化铝物品; (d)提供金属导电组合物; (e)将该导电组合物沈积于该氮化铝物品上;及 (f)焙烧该氮化铝物品及该导电组合物。 9.一种多层电路,其系由如请求项8之方法形成。 10.一种物品,其包含如请求项2、3、4及7任一项中 之该厚膜组合物,其中对该厚膜组合物进行处理以 使该有机聚合黏合剂挥发且使该玻璃组合物烧结 。 11.一种多层电路,其包含由如请求项2、3、4及7任 一项中之该厚膜组合物的层分离之复数层内部厚 膜金属导电组合物层,其中对该厚膜组合物进行处 理以使该有机聚合黏合剂挥发且使该玻璃组合物 烧结。 12.如请求项9之多层电路,其中该金属导电组合物 包含Ag。 13.如请求项11之多层电路,其中该金属导电组合物 包含Ag。 14.如请求项9之多层电路,其中该金属导电组合物 包含Au。 15.如请求项11之多层电路,其中该金属导电组合物 包含Au。 16.一种形成生带之方法,其包含以下步骤:将一层 如请求项2、3或7任一项中之该厚膜组合物浇铸于 可挠性基质上,且加热该浇铸层以自其中移除该挥 发性有机溶剂。 17.一种形成生带之方法,其包含以下步骤:将一薄 层如请求项2、3或7任一项中之该分散系浇铸于可 挠性基质上,加热该浇铸层以自其中移除该挥发性 有机溶剂,且自该基质中分离该不含溶剂层。 18.一种形成多层互连之方法,其包含以下步骤: (a)在由如请求项17之方法所制得的复数层生带层 中形成一图案化阵列之通道; (b)以厚膜导体组合物来填充在步骤(a)之该(该等) 生带层中的该通道; (c)在步骤(b)之各该等通道经填充之生带层的表面 上印刷至少一图案化厚膜功能层; (d)层压步骤(c)之该等印刷生带层,以形成包含由未 焙烧之生带分离的复数层互连功能层之一总成;及 (e)使步骤(d)之该总成共焙烧。 19.一种生带,其系由如请求项16之方法形成。 20.一种生带,其系由如请求项17之方法形成。 21.一种多层互连,其系由如请求项18之方法形成。 |
