| 主权项 |
1.一种发光材料,较佳为一种用于LED应用的磷光剂, 其可在360至470奈米的UV-蓝光区域中激发,其特征为 具有共通组成MAl2-xSixO4-xNx之掺杂Eu的宿主晶格,其 中M为至少一种选择自于Ca、Sr、Ba的硷土金属族, 其中x≧0.002且x≦1.5,较佳的是x低于0.7,而Eu的比例 为M的0.1至25%。 2.如申请专利范围第1项之发光材料,其中该宿主晶 格来自一鳞矽石结构。 3.如申请专利范围第1项之发光材料,其中M为锶及/ 或钡以达成发射绿光。 4.如申请专利范围第1项之发光材料,其中M为钙,以 达成发射蓝光。 5.如申请专利范围第1项之发光材料,其中M为这些 金属的至少二种之混合物。 6.如申请专利范围第1项之发光材料,其中M额外包 含Zn,较佳为最高40莫耳%。 7.如申请专利范围第1项之发光材料,其中Al由Ga完 全或部分置换。 8.如申请专利范围第1项之发光材料,其中Si由Ge完 全或部分置换,较佳为不多于25%。 9.如申请专利范围第1项之发光材料,其中该基材材 料进一步掺杂Mn,该共掺杂的Mn量较佳为该Eu掺杂物 的至多最高50%。 10.一种光源,具有一级发射光,而藉由UV-蓝光激发 的至少一种发光材料将至少一部分之一级发射光 转换成较长波长,其中该一级发射光为UV或蓝光,且 其特征在于该发光材料系为如申请专利范围第1至 9项中任一项之发光材料。 11.如申请专利范围第10项之光源,其中该一级发射 光为蓝光,且如申请专利范围第1至9项之发光材料 可与其它磷光剂结合(特别是发射红光的磷光剂), 以将该一级发射光部分转换成较长波长的二级发 射光,而造成发射白光。 12.如申请专利范围第10项之光源,其中该一级发射 辐射为UV,且将如申请专利范围第1至9项之发光材 料与其它磷光剂(特别是发射红光及蓝光的磷光剂 )结合,以将该一级发射辐射转换成较长波长的二 级发射光,以造成发射白光。 13.如申请专利范围第10项之光源,其中该光源为一 种含有至少一LED的照明装置。 图式简单说明: 第1图显示出一种可提供作为白光光源的半导体构 件(LED),其含铸模树脂图(第1a图)及不含铸模树脂图 (第1b图); 第2图显示出含有根据本发明之磷光剂的照明装置 ; 第3图显示出根据本发明之磷光剂的发射光谱及反 射光谱; 第4至8b图显示出根据本发明之进一步磷光剂的发 射光谱及反射光谱; 第9图显示出在体积单位晶格与x値间之关系。 |
