| 发明名称 |
DOPING GAS CNTROL METHOD IN SEMICONDUCTOR PROCESS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS54146957(A) |
申请公布日期 |
1979.11.16 |
| 申请号 |
JP19780054500 |
申请日期 |
1978.05.10 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
TAKAMI KATSUMI;HONMA NORIAKI;KOGIRIMA MASAHIKO;MAKI MICHIYOSHI |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/18;H01L21/22 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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