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发明名称 NON-VOLATILE MEMORY OPERATED ON THE BASIS OF A TWO-STEP BIT-LINE PRECHARGE OPERATION AND A TWO-PASS SENSING OPERATION
摘要
申请公布号 EP1966803(A2) 申请公布日期 2008.09.10
申请号 EP20060848784 申请日期 2006.12.26
申请人 SANDISK CORPORATION 发明人 TSAO, SHOU-CHANG;LI, YAN
分类号 G11C16/26 主分类号 G11C16/26
代理机构 代理人
主权项
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